Transient Electricフェイス(3D) / ライン(2D)領域

概要

フェイス(3D) / ライン(2D)領域は次のとおりです:

  • 材料領域: スタディドメイン内の薄領域のモデル化に使用されます。

  • 非材料領域: スタディドメイン内または境界における境界条件(BC)の適用に使用されます。

材料領域(薄領域)

薄領域は、厚みの小さい導電領域のモデル化を可能にします(亀裂、空隙など)。

薄領域は、その領域の厚みと共に、大きな領域と同様に記述できます。

3Dでは、以下の表のとおり、EおよびD界の方向をユーザーが選択します。

薄領域 場のEとDの方向
無制限 準接線
誘電体と非導電性 誘電率εの値がランダムな薄領域

薄領域: ε2 >> ε1

非材料領域

非材料領域では、境界条件(BC)を適用できます。

領域 BCで適用される内容 定義手段
完全導体 均一の電位および法線方向の電界

電位: 浮動値または固定値(V単位)

印加される電位 電位

電位(V単位)(入力 / 出力パラメータによる式、または空間量による式)

法線方向の電界 法線方向の電界

電位: 浮動値または固定値(V単位)

接線方向の電界 接線方向の電界  
領域を形成するフェイス / ライン上