線形近似 * Tの指数関数
プレゼンテーション
このモデルはB(H)の次の挙動則を定義します:
- 線形(飽和磁化は考慮せず)
- 等方性材料用
- 温度が上昇すると指数関数的に減少する比透磁率μrを介して
これは、飽和磁化に達していない限り、低磁界で使用できます。
数学モデル
このモデルは、μrの傾きが温度によって変化する直線です。
相当する数式は次のように記述されます:
B(H,T)= μ0H+ μ0( μr0 - 1)H.COEF(T)
ここで:
- μ0は真空の透磁率、μ0 = 4 π 10-7[H/m]
- μr0は材料の比透磁率(T = 0°Cの場合)
- COEF(T)は、前に説明した温度係数です。
B(H)曲線の形状を、下の図に表します。