線形近似 * Tの指数関数

プレゼンテーション

このモデルはB(H)の次の挙動則を定義します:

  • 線形(飽和磁化は考慮せず)
  • 等方性材料用
  • 温度が上昇すると指数関数的に減少する比透磁率μrを介して

これは、飽和磁化に達していない限り、低磁界で使用できます。

数学モデル

このモデルは、μrの傾きが温度によって変化する直線です。

相当する数式は次のように記述されます:

B(H,T)= μ0H+ μ0( μr0 - 1)H.COEF(T)

ここで:

  • μ0は真空の透磁率、μ0 = 4 π 10-7[H/m]
  • μr0は材料の比透磁率(T = 0°Cの場合)
  • COEF(T)は、前に説明した温度係数です。

B(H)曲線の形状を、下の図に表します。